分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BCR 112 E6327品牌、價格、PDF參數(shù)
BCR 112 E6327 • 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價格 |
| BCR 112 E6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-23 |
0 |
39,000:$0.02261
|
| BCR 108 E6433 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR NPN DGTL SOT-23 |
0 |
40,000:$0.02261
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| BCR 166 E6433 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR PNP DGTL AF SOT-23 |
0 |
40,000:$0.02108
|
| BCR 166 E6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR PNP DGTL AF SOT-23 |
0 |
36,000:$0.02108
|
| BCR 166 B6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR PNP DGTL AF SOT-23 |
0 |
30,000:$0.02108
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BCR 112 E6327 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| 電流 - 集電極 (Ic)（最大）: |
100mA
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| 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）: |
50V
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| 電阻器 - 基極 (R1)（歐）: |
4.7k
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| 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）: |
4.7k
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| 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE): |
20 @ 5mA，5V
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| Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）: |
300mV @ 500µA，10mA
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| 電流 - 集電極截止（最大）: |
-
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| 頻率 - 轉(zhuǎn)換: |
140MHz
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| 功率 - 最大: |
200mW
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
PG-SOT23-3
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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