| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| PDTD113ET,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN W/RES 50V SOT-23 | 186,000 | 3,000:$0.04800 6,000:$0.04320 15,000:$0.03840 30,000:$0.03600 75,000:$0.03540 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大）: | 500mA |
| 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）: | 50V |
| 電阻器 - 基極 (R1)（歐）: | 1k |
| 電阻器 - 發射極 (R2)（歐）: | 1k |
| 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE): | 33 @ 50mA，5V |
| Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）: | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 電流 - 集電極截止（最大）: | 500nA |
| 頻率 - 轉換: | - |
| 功率 - 最大: | 250mW |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供應商設備封裝: | TO-236AB |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |