分離式半導體產品 FESB16BTHE3/81品牌、價格、PDF參數
FESB16BTHE3/81 • 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數量 |
價格 |
| FESB16BTHE3/81 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE 16A 100V 35NS SGL TO263AB |
0 |
800:$1.08675
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| FESB16CTHE3/81 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE 16A 150V 35NS SGL TO263AB |
0 |
800:$1.08675
|
| FESB16FTHE3/81 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE 16A 300V 50NS SGL TO263AB |
0 |
800:$1.08675
|
| FESB16GTHE3/81 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE 16A 400V 50NS SGL TO263AB |
0 |
800:$1.08675
|
| FESB16HTHE3/81 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE 16A 500V 50NS SGL TO263AB |
0 |
800:$1.08675
|
| FESB16JTHE3/81 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE 16A 600V 50NS SGL TO263AB |
0 |
800:$1.08675
|
| FESB8ATHE3/81 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE 8A 50V 35NS SGL TO263AB |
0 |
800:$1.08675
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FESB16BTHE3/81 • PDF參數
| 類別: |
分離式半導體產品
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| 二極管類型: |
標準
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| 電壓 - (Vr)（最大）: |
100V
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| 電流 - 平均整流 (Io): |
16A
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| 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）: |
975mV @ 16A
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| 速度: |
快速恢復 = 200mA（Io）
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| 反向恢復時間(trr): |
35ns
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| 電流 - 在 Vr 時反向漏電: |
10µA @ 100V
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| 電容@ Vr, F: |
-
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
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| 供應商設備封裝: |
TO-263AB
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| 包裝: |
管件
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