分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 HAT2279N-EL-E品牌、價格、PDF參數(shù)
HAT2279N-EL-E • 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價格 |
| HAT2279N-EL-E |
Renesas Electronics America |
MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK |
0 |
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| HAT2160N-EL-E |
Renesas Electronics America |
MOSFET N-CH 20V 60A LFPAKI |
0 |
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| 2SK214-E |
Renesas Electronics America |
MOSFET N-CH 160V 0.5A TO-220AB |
0 |
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| 2SJ77-E |
Renesas Electronics America |
MOSFET P-CH 160V 0.5A TO-220 |
0 |
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| 2SJ352-E |
Renesas Electronics America |
MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P |
0 |
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| 2SJ162-E |
Renesas Electronics America |
MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P |
0 |
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HAT2279N-EL-E • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點: |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
80V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
30A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
12.3 毫歐 @ 15A，10V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）: |
-
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
60nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
3520pF @ 10V
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| 功率 - 最大: |
25W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm）
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
8-LFPAK-iV
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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