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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIA810DJ-T1-E3品牌、價格、PDF參數(shù)

SIA810DJ-T1-E3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SIA810DJ-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6 0
SIA810DJ-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6 0
IRC530PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 14A TO-220-5 0
SIB412DK-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 0
SIB412DK-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 0
SIA810DJ-T1-E3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 二極管(隔離式)
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4.5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 53 毫歐 @ 3.7A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 8V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 400pF @ 10V
功率 - 最大: 6.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SC-70-6 雙
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SC-70-6 雙
包裝: 剪切帶 (CT)
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