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分離式半導體產品 SI5479DU-T1-GE3品牌、價格、PDF參數

SI5479DU-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
SI5479DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 16A CHIPFET 0
SI5857DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V PPAK CHIPFET 0
SI6473DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 8-TSSOP 0
SI7156DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC 0
SI5479DU-T1-GE3 • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 12V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 16A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 21 毫歐 @ 6.9A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 51nC @ 8V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1810pF @ 6V
功率 - 最大: 17.8W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? CHIPFET? 單
供應商設備封裝: PowerPAK? ChipFET 單通道
包裝: 帶卷 (TR)
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