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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPP180N10N3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPP180N10N3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPP180N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 400V 43A TO220-3 0 1:$1.59000
10:$1.43700
25:$1.28280
100:$1.15450
250:$1.02620
500:$0.89792
1,000:$0.74400
2,500:$0.69268
5,000:$0.66703
IPP180N10N3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 43A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 18 毫歐 @ 33A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 3.5V @ 33µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1800pF @ 50V
功率 - 最大: 71W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO220-3
包裝: 管件
電子產(chǎn)品資料
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