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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPA65R600C6品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPA65R600C6 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPA65R600C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220 0 10,000:$0.77051
IPA65R600C6 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 7.3A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 600 毫歐 @ 2.1A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 3.5V @ 210µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 440pF @ 100V
功率 - 最大: 28W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO220 整包
包裝: 管件
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