分離式半導體產品 SI7495DP-T1-GE3品牌、價格、PDF參數
SI7495DP-T1-GE3 • 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數量 |
價格 |
| SI7495DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 12V 13A PPAK 8SOIC |
0 |
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| SI7664DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
0 |
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| SI7886ADP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
0 |
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| SIHB22N60S-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK |
0 |
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| SUM90N08-7M6P-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 75V D2PAK |
0 |
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| SUP18N15-95-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3 |
0 |
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| SUP60N02-4M5P-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 20V TO220AB |
0 |
|
| SUV85N10-10-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB |
0 |
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SI7495DP-T1-GE3 • PDF參數
| 類別: |
分離式半導體產品
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| FET 型: |
MOSFET P 通道，金屬氧化物
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| FET 特點: |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
12V
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| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: |
13A
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| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
6.5 毫歐 @ 21A，4.5V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）: |
900mV @ 1mA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
140nC @ 5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
-
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| 功率 - 最大: |
1.8W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
PowerPAK? SO-8
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| 供應商設備封裝: |
PowerPAK? SO-8
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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