| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IPW65R110CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247 | 0 | 1:$10.38000 10:$9.34000 100:$7.67920 250:$7.05652 500:$6.43390 1,000:$5.60372 2,500:$5.39617 5,000:$5.18863 10,000:$5.08485 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 650V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 31.2A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 110 毫歐 @ 12.7A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4.5V @ 1.3mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 118nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 3240pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 277.8W |
| 安裝類型: | 通孔 |
| 封裝/外殼: | TO-247-3 |
| 供應商設備封裝: | PG-TO247-3 |
| 包裝: | 管件 |