| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IPB019N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | 0 | 1:$4.19000 10:$3.77400 25:$3.42440 100:$3.07490 250:$2.79540 500:$2.44598 |
| IPB019N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | 0 | 1,000:$1.95678 2,000:$1.85894 5,000:$1.78207 10,000:$1.73315 25,000:$1.67724 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 120A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 1.9 毫歐 @ 100A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 2.2V @ 196µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 166nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 28000pF @ 30V |
| 功率 - 最大: | 250W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應商設備封裝: | PG-TO263-2 |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |