分離式半導體產品 IPB042N10N3 G E8187品牌、價格、PDF參數
IPB042N10N3 G E8187 • 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數量 |
價格 |
| IPB042N10N3 G E8187 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 |
0 |
1,000:$1.70674
|
IPB042N10N3 G E8187 • PDF參數
| 類別: |
分離式半導體產品
|
| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
|
| FET 特點: |
邏輯電平門
|
| 漏極至源極電壓(Vdss): |
100V
|
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: |
100A
|
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
4.2 毫歐 @ 50A，10V
|
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: |
3.5V @ 150µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
117nC @ 10V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
8410pF @ 50V
|
| 功率 - 最大: |
214W
|
| 安裝類型: |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼: |
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
|
| 供應商設備封裝: |
PG-TO263-3
|
| 包裝: |
帶卷 (TR)
|