分離式半導體產(chǎn)品 IPD031N06L3 G品牌、價格、PDF參數(shù)
IPD031N06L3 G • 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價格 |
| IPD031N06L3 G |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 |
0 |
2,500:$1.00184
|
IPD031N06L3 G • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導體產(chǎn)品
|
| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
|
| FET 特點: |
邏輯電平門
|
| 漏極至源極電壓(Vdss): |
60V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
100A
|
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
3.1 毫歐 @ 100A，10V
|
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: |
2.2V @ 93µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
79nC @ 4.5V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
13000pF @ 30V
|
| 功率 - 最大: |
167W
|
| 安裝類型: |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼: |
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
|
| 供應商設備封裝: |
PG-TO252-3
|
| 包裝: |
帶卷 (TR)
|