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分離式半導體產品 TK100E08N1,S1X品牌、價格、PDF參數

TK100E08N1,S1X • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
TK100E08N1,S1X Toshiba MOSFET N CH 80V 214A TO220 0 1:$5.60000
10:$5.00000
25:$4.50000
100:$4.10000
250:$3.70000
500:$3.32000
1,000:$2.80000
2,500:$2.66000
5,000:$2.55000
TK100E08N1,S1X • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 80V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 214A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.2 毫歐 @ 50A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 1mA,10V
閘電荷(Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 9000pF @ 40V
功率 - 最大: 255W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應商設備封裝: TO-220
包裝: 管件
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