分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BSZ180P03NS3E G品牌、價格、PDF參數(shù)
BSZ180P03NS3E G • 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價格 |
| BSZ180P03NS3E G |
Infineon Technologies |
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 |
0 |
5,000:$0.29052
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BSZ180P03NS3E G • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET P 通道，金屬氧化物
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| FET 特點: |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
30V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
39.6A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
18 毫歐 @ 20A，10V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）: |
1.9V @ 48µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
30nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
2220pF @ 15V
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| 功率 - 最大: |
2.1W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
8-PowerTDFN
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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