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分離式半導體產品 SIHG32N50D-GE3品牌、價格、PDF參數

SIHG32N50D-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
SIHG32N50D-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V D TO-247AC 50
SIHP17N60D-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V D TO-220AB 50
SIHG22N50D-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V D TO-247AC 50
SIHG32N50D-GE3 • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 500V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 30A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 150 毫歐 @ 16A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 96nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2550pF @ 100V
功率 - 最大: 390W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-247-3(TO-247AC)
供應商設備封裝: TO-247AC
包裝: 管件
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