| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| IPB80N04S4-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2 | 0 | 1,000:$0.57420 |
| BSC024NE2LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8 | 0 | 1:$1.63000 10:$1.45900 25:$1.28720 100:$1.15830 250:$1.00816 500:$0.90090 1,000:$0.70785 2,500:$0.66495 |
| 類(lèi)別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 40V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 80A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 4.2 毫歐 @ 80A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 35µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 43nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 3440pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 71W |
| 安裝類(lèi)型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TO263-3-2 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |