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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IXTH16N10D2品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IXTH16N10D2 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IXTH16N10D2 IXYS MOSFET N-CH 100V 16A TO-247 0 60:$7.79000
IXFQ26N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 26A TO-30 0 60:$7.74900
IXTH16N10D2 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 耗盡模式
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 16A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 64 毫歐 @ 8A,0V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): -
閘電荷(Qg) @ Vgs: 225nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 5700pF @ 25V
功率 - 最大: 830W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-247
包裝: 管件
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