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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 NTD4979N-35G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

NTD4979N-35G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
NTD4979N-35G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME 0 3,075:$0.15236
NTD4979N-35G • PDF參數(shù)
類(lèi)別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 9.4A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9 毫歐 @ 30A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 16.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 837pF @ 15V
功率 - 最大: 1.38W
安裝類(lèi)型: 通孔
封裝/外殼: TO-251-3 短引線(xiàn),IPak,TO-251AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: I-Pak
包裝: 管件
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