| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IXTA2R4N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-263 | 0 | 150:$3.85400 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 1200V（1.2kV） |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 2.4A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 7.5 歐姆 @ 500mA，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 37nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1207pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 125W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應商設備封裝: | TO-263 |
| 包裝: | 管件 |