| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IXTA1R4N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263 | 0 | 250:$1.60000 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 1000V（1kV） |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 1.4A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 11 歐姆 @ 500mA，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4.5V @ 50µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 17.8nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 450pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 63W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應商設備封裝: | TO-263 |
| 包裝: | 管件 |