| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| EPC2010 | EPC | TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE | 0 | 1:$9.94000 10:$9.00000 100:$7.50000 250:$6.75000 |
| EPC2010 | EPC | TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE | 0 | 1:$9.94000 10:$9.00000 100:$7.50000 250:$6.75000 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | GaNFET N 通道，氮化鎵 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 200V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 12A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 25 毫歐 @ 6A，5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 2.5V @ 3mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 5nC @ 5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 480pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | - |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 7-SMD，凸引線 |
| 供應商設備封裝: | 7-LGA（3.6x1.6） |
| 包裝: | Digi-Reel® |