分離式半導體產品 BSP171PE6327T品牌、價格、PDF參數
BSP171PE6327T • 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數量 |
價格 |
| BSP171PE6327T |
Infineon Technologies |
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 |
0 |
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| BSP171PE6327T |
Infineon Technologies |
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 |
0 |
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| BSP170PE6327T |
Infineon Technologies |
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 |
0 |
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| BSP170PE6327T |
Infineon Technologies |
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 |
0 |
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| BSP129E6327T |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 |
0 |
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| BSP129E6327T |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 |
0 |
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BSP171PE6327T • PDF參數
| 類別: |
分離式半導體產品
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| FET 型: |
MOSFET P 通道，金屬氧化物
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| FET 特點: |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
60V
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| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: |
1.9A
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| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
300 毫歐 @ 1.9A，10V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）: |
2V @ 460µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
20nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
460pF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
1.8W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
TO-261-4，TO-261AA
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| 供應商設備封裝: |
PG-SOT223-4
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| 包裝: |
剪切帶 (CT)
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