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分離式半導體產品 FQD6N60CTM_WS品牌、價格、PDF參數

FQD6N60CTM_WS • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
FQD6N60CTM_WS Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 600V DPAK 0
FQA28N50_F109 Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3PN 0
FQD6N60CTM_WS • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 4A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2 歐姆 @ 2A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 810pF @ 25V
功率 - 最大: 80W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝: D-Pak
包裝: 帶卷 (TR)
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