| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SQM110N06-06-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 60V TO263 | 0 | 800:$3.52650 |
| SQM110N06-04L-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 60V TO263 | 0 | 800:$3.52650 |
| SIHG14N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC | 50 | 1:$3.30000 25:$2.65520 100:$2.41900 250:$2.18300 500:$1.95880 1,000:$1.65200 2,500:$1.56940 5,000:$1.50450 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 120A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 6 毫歐 @ 30A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 3.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 145nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 6495pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 230W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應商設備封裝: | TO-263（D2Pak） |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |