分離式半導體產品 SIE812DF-T1-GE3品牌、價格、PDF參數
SIE812DF-T1-GE3 • 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數量 |
價格 |
| SIE812DF-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 40V POLARPAK |
0 |
3,000:$1.64920
|
| SQM110N08-05-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 75V TO263 |
0 |
800:$1.60350
|
SIE812DF-T1-GE3 • PDF參數
| 類別: |
分離式半導體產品
|
| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
|
| FET 特點: |
邏輯電平門
|
| 漏極至源極電壓(Vdss): |
40V
|
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: |
60A
|
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
2.6 毫歐 @ 25A，10V
|
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: |
3V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
170nC @ 10V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
8300pF @ 20V
|
| 功率 - 最大: |
125W
|
| 安裝類型: |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼: |
10-PolarPAK?（L）
|
| 供應商設備封裝: |
10-PolarPAK?（L）
|
| 包裝: |
帶卷 (TR)
|