| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| FCD4N60TM_WS | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK | 0 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 600V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 3.9A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 1.2 歐姆 @ 2A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 16.6nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 540pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 50W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應商設備封裝: | D-Pak |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |