| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| CSD25211W1015 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA | 0 | 3,000:$0.35000 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 3.2A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 33 毫歐 @ 1.5A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 1.1V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 4.1nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 570pF @ 10V |
| 功率 - 最大: | 1W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 6-UFBGA，DSBGA |
| 供應商設備封裝: | 6-DSBGA（1x1.5） |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |