| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SI4056DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V D-S 8SOIC | 0 | 2,500:$0.33350 5,000:$0.31050 12,500:$0.29900 25,000:$0.28750 62,500:$0.28290 125,000:$0.27600 |
| SIE848DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK | 0 | 1:$2.98000 25:$2.29520 100:$2.08250 250:$1.87000 500:$1.61500 1,000:$1.36000 |
| SQD50N06-07L-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 50A TO252 | 0 | 2,000:$1.72900 |
| SI4886DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC | 0 | 2,500:$1.71570 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 11.1A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 23 毫歐 @ 15A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 2.8V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 29.5nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 900pF @ 50V |
| 功率 - 最大: | 5.7W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應商設備封裝: | 8-SO |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |