| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SIR882ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAK | 0 | 3,000:$1.09350 6,000:$1.05300 15,000:$1.01250 30,000:$0.99225 75,000:$0.97200 |
| SIE882DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 25V POLARPAK | 0 | 3,000:$1.09350 |
| IRL640STRRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK | 0 | 800:$1.09305 |
| 類別: | 分離式半導體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 60A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 8.7 毫歐 @ 20A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 2.8V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1975pF @ 50V |
| 功率 - 最大: | 83W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | PowerPAK? SO-8 |
| 供應商設(shè)備封裝: | PowerPAK? SO-8 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |