| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| SI7491DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 11A PPAK 8SOIC | 0 | 3,000:$0.93690 |
| SI4438DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.93690 |
| SI6413DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP | 0 | 3,000:$0.93150 |
| SIRA00DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A SO8 PWR PK | 0 | 1:$2.38000 25:$1.83600 100:$1.66600 250:$1.49600 500:$1.29200 1,000:$1.08800 |
| 類(lèi)別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門(mén) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 11A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 8.5 毫歐 @ 18A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 3V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 85nC @ 5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | - |
| 功率 - 最大: | 1.8W |
| 安裝類(lèi)型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | PowerPAK? SO-8 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PowerPAK? SO-8 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |