| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IRF610STRRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | 0 | 800:$0.88043 |
| SIR662DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO PWRPAK | 0 | 1:$2.28000 25:$1.75520 100:$1.59250 250:$1.43000 500:$1.23500 1,000:$1.04000 |
| SIR662DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO PWRPAK | 0 | 3,000:$0.87750 6,000:$0.84500 15,000:$0.81250 30,000:$0.79625 75,000:$0.78000 |
| SI4423DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.90585 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 200V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 3.3A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 1.5 歐姆 @ 2A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 8.2nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 140pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 3W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應商設備封裝: | D2PAK |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |