| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SI1315DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 900MA SC70-3 | 0 | 3,000:$0.10725 |
| SQD50P04-13L-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 40V TO252 | 0 | 2,000:$1.28250 |
| SI7457DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 100V PPAK 8SOIC | 0 | 3,000:$1.28250 |
| SI7455DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 80V PPAK 8SOIC | 0 | 3,000:$1.28250 |
| SIJ482DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 60A SO-8 | 5 | 1:$2.03000 25:$1.56600 100:$1.42100 250:$1.27600 500:$1.10200 1,000:$0.92800 |
| SI7455DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 80V PPAK 8SOIC | 0 | 3,000:$1.28250 |
| SI4866DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.78300 |
| SI4890DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | 0 | 2,500:$1.28250 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 8V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 900mA |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 336 毫歐 @ 800mA，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 800mV @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 3.4nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 112pF @ 4V |
| 功率 - 最大: | 400mW |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | SC-70，SOT-323 |
| 供應商設備封裝: | SOT-323 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |