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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 NTD6600N-1G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

NTD6600N-1G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
NTD6600N-1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 12A IPAK 0
NTJS3151PT2 ON Semiconductor MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363 0
NTD6600N-1G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 12A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 146 毫歐 @ 6A,5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 700pF @ 25V
功率 - 最大: 1.28W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: I-Pak
包裝: 管件
電子產(chǎn)品資料
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