分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 2N7002-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
2N7002-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| 2N7002-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 |
0 |
3,000:$0.07000
|
2N7002-T1-GE3 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
|
| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
|
| FET 特點(diǎn): |
邏輯電平門(mén)
|
| 漏極至源極電壓(Vdss): |
60V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
115mA
|
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
7.5 歐姆 @ 500mA，10V
|
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
2.5V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
-
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
50pF @ 25V
|
| 功率 - 最大: |
200mW
|
| 安裝類型: |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼: |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
TO-236
|
| 包裝: |
帶卷 (TR)
|