| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SI4442DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.67060 |
| SIHU5N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK | 0 | 3,000:$0.49518 6,000:$0.47042 15,000:$0.45097 30,000:$0.43859 75,000:$0.42444 |
| SI4427BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC | 0 | 2,500:$0.49420 |
| SI7136DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 30A PPAK 8SOIC | 0 | 3,000:$1.28250 |
| IRF710STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 2.0A D2PAK | 0 | 800:$0.63578 |
| SI3445DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 6-TSOP | 0 | 3,000:$0.63000 |
| SI4354DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.61600 |
| SQD23N06-31L-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 60V TO252 | 0 | 2,000:$0.61460 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 15A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 4.5 毫歐 @ 22A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 1.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 50nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | - |
| 功率 - 最大: | 1.6W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應商設備封裝: | 8-SOICN |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |