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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI3424DV-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI3424DV-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI3424DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP 0 3,000:$0.58800
SI7425DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 12V PPAK 1212-8 0 3,000:$0.58660
SIS438DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8 0 3,000:$0.31175
6,000:$0.29025
15,000:$0.27950
30,000:$0.26875
SI3424DV-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 5A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 28 毫歐 @ 6.7A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 800mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.14W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSOP(0.065",1.65mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-TSOP
包裝: 帶卷 (TR)
電子產(chǎn)品資料
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