| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SI4874BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.41860 |
| SI4384DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.41860 |
| SI4833ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.40600 |
| SQ3460EV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP | 750 | 1:$0.79000 25:$0.55440 100:$0.47520 250:$0.41040 500:$0.35280 1,000:$0.27360 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 12A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 7 毫歐 @ 16A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 3V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 25nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 3230pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 1.6W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應商設備封裝: | 8-SOICN |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |