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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI4090DY-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI4090DY-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI4090DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V D-S 8SOIC 30 1:$1.63000
25:$1.29000
100:$1.16100
250:$1.01052
500:$0.90300
1,000:$0.70950
SI4090DY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 19.7A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 10 毫歐 @ 15A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 3.3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 69nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2410pF @ 50V
功率 - 最大: 7.8W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SO
包裝: 剪切帶 (CT)
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