| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| SI4497DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC | 377 | 1:$2.13000 25:$1.64160 100:$1.48960 250:$1.33760 500:$1.15520 1,000:$0.97280 |
| SI4497DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.82080 5,000:$0.79040 12,500:$0.76000 25,000:$0.74480 62,500:$0.72960 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 36A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 3.3 毫歐 @ 20A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 2.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 285nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 9685pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 7.8W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 8-SOICN |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |