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分離式半導體產品 SI3493DV-T1-GE3品牌、價格、PDF參數

SI3493DV-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
SI3493DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP 0 3,000:$0.40600
SI3493DV-T1-GE3 • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 5.3A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 27 毫歐 @ 7A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSOP(0.065",1.65mm 寬)
供應商設備封裝: 6-TSOP
包裝: 帶卷 (TR)
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