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分離式半導體產品 SIRA04DP-T1-GE3品牌、價格、PDF參數

SIRA04DP-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
SIRA04DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 30V(D-S)POWERPAK 0 1:$1.44000
25:$1.14000
100:$1.02600
250:$0.89300
500:$0.79800
1,000:$0.62700
SIRA04DP-T1-GE3 • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 40A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.15 毫歐 @ 15A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 77nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3595pF @ 15V
功率 - 最大: 27.7W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝: PowerPAK? SO-8
包裝: 剪切帶 (CT)
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