| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SI4628DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC | 0 | 2,500:$0.71550 5,000:$0.68900 12,500:$0.66250 25,000:$0.64925 |
| SIS407DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK | 855 | 1:$1.10000 25:$0.87000 100:$0.78300 250:$0.68152 500:$0.60900 1,000:$0.47850 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 38A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 3 毫歐 @ 20A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 2.5V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 87nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 3450pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 7.8W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應商設備封裝: | 8-SOIC（窄型） |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |