| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SI5499DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 | 0 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 8V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 6A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 36 毫歐 @ 5.1A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 800mV @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 35nC @ 8V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1290pF @ 4V |
| 功率 - 最大: | 6.2W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-SMD，扁平引線 |
| 供應商設備封裝: | 1206-8 ChipFET? |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |