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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 PSMN1R1-30PL,127品牌、價格、PDF參數(shù)

PSMN1R1-30PL,127 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
PSMN1R1-30PL,127 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 30V 120A TO220 273 1:$3.25000
10:$2.90000
25:$2.61000
100:$2.37800
250:$2.14600
500:$1.92560
1,000:$1.62400
2,500:$1.54280
5,000:$1.48480
PSMN1R1-30PL,127 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 120A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.3 毫歐 @ 25A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.2V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 243nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 14850pF @ 15V
功率 - 最大: 338W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-220AB
包裝: 管件
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