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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI8461DB-T2-E1品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI8461DB-T2-E1 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI8461DB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT 9,336 1:$0.66000
25:$0.51000
100:$0.45000
250:$0.39000
500:$0.33000
1,000:$0.26250
SI8461DB-T2-E1 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: -
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 100 毫歐 @ 1.5A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 24nC @ 8V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 610pF @ 10V
功率 - 最大: 780mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 4-XFBGA,CSPBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 4-Microfoot
包裝: 剪切帶 (CT)
電子產(chǎn)品資料
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