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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BUK624R5-30C,118品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

BUK624R5-30C,118 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
BUK624R5-30C,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH TRENCH DPAK SOT428 9,900 1:$1.66000
10:$1.46800
25:$1.32520
100:$1.15970
250:$1.01704
500:$0.90200
1,000:$0.71331
BUK624R5-30C,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH TRENCH DPAK 0 2,500:$0.64400
5,000:$0.61200
12,500:$0.58900
25,000:$0.57100
62,500:$0.55200
PSMN004-60B,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK 3,964 1:$3.17000
10:$2.83800
25:$2.55200
100:$2.32100
250:$2.10100
PSMN004-60B,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK 3,200 800:$1.65000
1,600:$1.54000
2,400:$1.46300
5,600:$1.40800
20,000:$1.36400
40,000:$1.32000
BUK624R5-30C,118 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 90A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.5 毫歐 @ 25A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.8V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 78nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4707pF @ 25V
功率 - 最大: 158W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: D-Pak
包裝: 剪切帶 (CT)
電子產(chǎn)品資料
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