| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| PSMN015-100B,118 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 100V 75A SOT404 | 1,748 | 1:$2.30000 10:$2.07400 25:$1.85760 100:$1.67040 250:$1.48320 |
| PSMN130-200D,118 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 200V 20A SOT428 | 9,495 | 1:$1.78000 10:$1.57200 25:$1.41920 100:$1.24190 250:$1.08908 500:$0.96588 1,000:$0.76384 |
| PSMN130-200D,118 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 200V 20A SOT428 | 9,495 | 1:$1.78000 10:$1.57200 25:$1.41920 100:$1.24190 250:$1.08908 500:$0.96588 1,000:$0.76384 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 75A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 15 毫歐 @ 25A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 90nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 4900pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 300W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | D2PAK |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |