| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| CSD25201W15 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA | 2,142 | 1:$1.00000 10:$0.88400 25:$0.79760 100:$0.69800 250:$0.61216 500:$0.54292 1,000:$0.42935 |
| CSD25201W15 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA | 0 | 3,000:$0.38800 6,000:$0.36800 15,000:$0.35500 30,000:$0.34300 75,000:$0.33200 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 4A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 40 毫歐 @ 2A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 1.1V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 5.6nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 510pF @ 10V |
| 功率 - 最大: | 1.5W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 9-UFBGA，DSBGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 9-DSBGA（1.8x1.8） |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |