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分離式半導體產品 IRLHM630TR2PBF品牌、價格、PDF參數

IRLHM630TR2PBF • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
IRLHM630TR2PBF International Rectifier MOSFET N-CH 30V 21A PQFN 1,200 400:$0.90788
800:$0.85063
1,200:$0.81393
2,800:$0.78224
10,000:$0.71886
40,000:$0.69495
IRLHM630TR2PBF • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 21A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.5 毫歐 @ 20A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.1V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 62nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3170pF @ 25V
功率 - 最大: 2.7W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-VQFN 裸露焊盤
供應商設備封裝: PQFN(3x3)
包裝: 帶卷 (TR)
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